第666章 一波未平，一波又起！（1 / 2）

“天机”和“神笔”的复杂度，远超之前的SRAM和“盘古”芯片。

它们集成了数以百万计的晶体管，设计规则更严格，对工艺波动更敏感。

尤其是“天机”那动态可重构的阵列和“神笔”那些可编程的渲染单元，

其版图密度和互连复杂度，

对“麒麟”线这台刚刚学会走路的“机器”来说，是前所未有的挑战。

前端的工序相对顺利。

虽然数据量巨大，但经过优化后的掩模数据和工艺配方，

在光刻、刻蚀等关键步骤上，没有出现灾难性的错误。

真正的考验，出现在后端金属互联阶段。

“报告，Metal3层，A13区域，在线缺陷检测（ODI）发现异常，疑似金属线桥接（Short）。”

工艺工程师的声音带着一丝紧张响起。

屏幕立刻切换，放大到A13区域。

在高分辨率的检测图像上，两条本应隔开的细密金属线，在某个转弯处，

似乎因为刻蚀后的残留物或者化学机械抛光不均，出现了极其微小的连接迹象。

“桥接……”冯建国的眉头拧成了疙瘩。

金属线桥接意味着短路，是芯片的致命伤。

“能定位到具体是哪个模块吗？”

“正在对应GDS（版图数据）……定位到了，是天机芯片的L2缓存（二级缓存）与总线接口的一个交叉区域。”

控制室内的气氛骤然一紧。

L2缓存是天机性能的关键，这里出问题，

可能导致缓存失效、数据错误，甚至整个芯片无法启动。

“先不要慌。”

祁同伟的声音依旧平稳，

“这种规模的桥接，在ODI图像上看很微小，可能只是表面残留，实际电学上未必真短路。

冯工，通知线上，对这个批次的晶圆，在Metal3刻蚀后，增加一道加强清洗和复查。

另外，准备对这个区域做定点切割和电镜复查。”

命令迅速下达。

生产线调整了流程，增加了额外的清洗步骤。

但这会稍微拖慢进度，也增加了晶圆受损的风险。

一波未平，一波又起。

“神笔项目，Via2（第二层通孔）阵列，抽样电测试显示，部分通孔接触电阻异常偏高，超出规格上限30％。”

测试工程师报告。

通孔接触电阻高，意味着金属层之间连接不良，信号延迟增加，功耗上升，严重时会导致功能错误。

“检查通孔刻蚀和填充工艺的均匀性数据。”

祁同伟沉声道，

“还有，核对一下这个区域的版图设计，通孔密度和周围金属线间距是否符合‘麒麟’线当前工艺能力给出的设计规则（DRC）？”

设计团队的一名成员立刻调出版图，与最新的工艺设计规则手册进行比对。

几分钟后，他脸色有些发白：

“祁总，这个区域……我们为了追求布线密度，通孔阵列的间距，用了设计规则允许的最小值。

但‘麒麟’线目前对高密度通孔的工艺控制能力，可能比规则手册给出的理论值要弱一些，存在波动……”

这是一个典型的设计与工艺协同问题。