第657章 看到了八十纳米世界的曙光！（1 / 2）

1996年12月24日，凌晨，汉东省京州市，“汉芯”产业园区地下绝密试验线。

没有圣诞节的温馨，没有平安夜的祥和。

只有深入地下三十米、厚重钢筋混凝土掩体也无法完全隔绝的低沉嗡鸣，

那是高精密设备在极限状态下运行的声音，混合着特种气体管道输送的嘶嘶声，

以及一种近乎凝固的、全神贯注的寂静。

试验线洁净等级最高的光刻间内，灯火通明。

空气中弥漫着极度洁净却又因大量设备散热而略显沉闷的气息。

穿着“兔宝宝”全封闭洁净服的工程师们，

如同一个个臃肿的宇航员，

在巨大的尼康i-le光刻机、经过特殊改装的刻蚀和沉积设备之间无声地移动。

他们的面罩上凝结着细密的水汽，但眼神却透过防护镜，锐利地锁定在每一块监控屏幕上。

这是代号“破晓”行动的最终阶段，

首片采用“极限压榨”方案制造的八十纳米制程SRAM（静态随机存储器）测试芯片的最终流片。

SRAM结构相对规整，是验证新工艺节点的理想“试金石”。

这块芯片的容量不大，仅1Mbit（128KB），但在此时此刻，它承载的重量远超其物理尺寸。

控制室内，气氛紧张到了临界点。

祁同伟、罗斯塔姆、王定国院士、冯建国等核心成员围坐在中央监控台前，无人说话，

只有指尖无意识敲击桌面的轻微声响和略显粗重的呼吸。

大屏幕上，最后一道金属互联层的工艺进度条，正以毫米为单位，极其缓慢地向前爬行。

过去六个月，如同在地狱中行走。

“极限压榨”方案将两台老旧的尼康i-le光刻机推到了崩溃的边缘。

为了用365n光源“模拟”出接近80n的图形，

罗斯塔姆团队开发的计算光刻（OPC/SMO）算法复杂到了令人发指的程度，

每次曝光前，掩模数据都需要在超算上运行数小时进行“预扭曲”。

双重曝光、三重曝光带来了噩梦般的套刻精度和工艺叠加问题。

冯建国带领的工艺团队，在报废了价值数千万的试验晶圆后，

才勉强摸索出一套脆弱但尚可运行的“土法”工艺包，

其对环境波动、材料批次、甚至操作员手法的敏感度，都达到了变态的程度。

“深根固本”线提供的特种光刻胶和抛光液，性能勉强达标，

但批次稳定性依然堪忧。

“夸父”项目提供的深紫外（DUV）光源测试数据，为算法优化提供了关键输入，

但自研光刻机距离实用还遥遥无期。

这是一场在刀尖上跳舞、用算力和毅力强行填补硬件鸿沟的豪赌。

赌注是整个团队的信心、祁同伟的政治前途，乃至“汉芯”项目的生死。

进度条，终于走到了100%。

“工艺完成。晶圆开始下线，进入最终清洗和检测流程。”工艺工程师的声音干涩地响起。

所有人的心都提了起来。真正的审判，现在才开始。

晶圆将被送入自动缺陷检测设备，进行全盘扫描。然后，是取样进行电学特性测试。

时间一分一秒过去，每一秒都像一个世纪般漫长。